单层过渡金属二卤化物中极化子形成的基片作用
材料科学
2025-12-25 v1
摘要
在 Conducting 基片上生长的单层过渡金属二卤化物被证明可承载稳定的极化子。本文研究了在分子束蒸发法生长的生长在三种不同基片上的单层 MnBr 中的极化子，分别为石墨烯/ Ir(110), 石墨烯/ Ir(111), 和 Au(111)。观察到的极化子种类和数密度随基片的不同而显著变化。对于生长在 Ir(110) 上的 MnBr，观察到最多的极化子种类，共有四种，其中三种与在石墨烯上生长的 CoCl 的极化子种类表现出明显的相似性。MnBr 中的极化子可被观察至 300K。它们可以通过在适当偏压电压下通过隧穿电流时，由 STM 针创建、转换和移动。对于生长在 Ir(110) 上的石墨烯作为基片，MnBr 中的可移动极化子被引导通过由 MnBr 与石墨烯和 Ir(110) 相互作用产生的超-莫尔势场所施加的周期性势场。我们的发现表明，对生长在 Conducting 基片上与导体接触的单层绝缘体中的极化子建模需要显式地考虑基片的作用。
引用
@article{arxiv.2512.21163,
title = {Substrate Role in Polaron Formation on Single-layer Transition Metal Dihalides},
author = {Affan Safeer and Oktay Güleryüz and Guangyao Miao and Wouter Jolie and Thomas Michely and Jeison Fischer},
journal= {arXiv preprint arXiv:2512.21163},
year = {2025}
}
备注
35 pages, 15 figures