BESIII 硅像素内径迹探测器的跟踪方法及预期性能研究
仪器与探测器
2015-10-30 v1 高能物理 - 实验
摘要
BESIII 的内漂移室在运行五年后遇到了严重的老化问题。对于第一层，从 2009 年到 2013 年气体增益下降了约 26%。内径迹探测器的升级已成为 BESIII 实验的紧迫问题。由于 CMOS 像素传感器在空间分辨率和抗辐射硬度方面的巨大优势，使用 CMOS 像素传感器的内径迹探测器是一个重要候选方案。为了对预期性能进行蒙特卡洛研究，已实现基于 Geant4 的硅像素探测器全模拟。研究了结合硅像素内径迹探测器与外漂移室的跟踪方法，并开发了初步的重建软件。蒙特卡洛研究表明，由于硅像素探测器良好的空间分辨率和适中的材料预算，包括动量分辨率、顶点分辨率和跟踪效率在内的性能得到了显著改善。
引用
@article{arxiv.1510.08558,
title = {Study of the Tracking Method and Expected Performance of the Silicon Pixel Inner Tracker Applied in BESIII},
author = {Qinglei Xiu and Mingyi Dong and Weidong Li and Huaimin Liu and Qiumei Ma and Qun Ouyang and Zhonghua Qin and Liangliang Wang and Linghui Wu and Ye Yuan and Yao Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1510.08558},
year = {2015}
}
备注
6 pages, 9 figures