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HgBa$_2$CuO$_{4+\delta}$的角分辨光电子能谱研究

超导电性 2007-05-23 v1

摘要

我们首次对单层Hg基铜氧化物HgBa2_2CuO4+δ_{4+\delta}(Hg1201)进行了角分辨光电子能谱测量。在布里渊区对角线附近观察到光谱中的准粒子峰和能带色散中的扭折,而在布里渊区边界附近未检测到任何结构。为了寻找包括Hg1201在内的空穴掺杂铜氧化物中与材料相关的趋势,我们使用紧束缚模型拟合其费米面。我们发现Tc,maxT_{c,\mathrm{max}}t/tt'/t之间存在正相关,这与理论预测一致。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0606347,
  title  = {Study of HgBa$_2$CuO$_{4+\delta}$ by Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy},
  author = {W. S. Lee and T. Yoshida and W. Meevasana and K. M. Shen and D. H. Lu and W. L. Yang and X. J. Zhou and X. Zhao and G. Yu and Y. Cho and M. Greven and Z. Hussain and Z. -X. Shen},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0606347},
  year   = {2007}
}

备注

5 pages, 4 figures