深等离子体通道中爆破机制下的外部电子注入与俘获研究
等离子体物理
2018-06-18 v1
摘要
在这项工作中，我们研究了深等离子体通道中爆破机制下的电子侧向注入与俘获。我们分析了最大注入角，在此角度下至少有 90% 的注入电子被俘获。我们讨论了该角度对电子初始能量及其注入位置的依赖关系。在一个半解析爆破模型的范围内，我们表明，如果电子注入到深等离子体通道中，注入位置对俘获而言是较不关键的因素。PIC 模拟与解析近似支持了我们半解析模型的结果。
引用
@article{arxiv.1806.05954,
title = {Study of external electron injection and trapping in the blow-out regime},
author = {Jari Pronold and Johannes Thomas and Alexander Pukhov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1806.05954},
year = {2018}
}