强边带耦合区中囚禁离子的边带冷却
量子物理
2022-11-17 v1
摘要
关于囚禁离子基态激光冷却的传统理论研究大多聚焦于弱边带耦合（WSC）区，其中冷却速率与激发态线宽成反比。在最近的工作~[New J. Phys. 23, 023018 (2021)] 中，我们提出了一个理论框架来研究强边带耦合（SSC）区中囚禁离子的基态冷却，其假设载波跃迁消失。在此我们将该分析扩展到具有非零载波跃迁的更一般情况，其中我们表明通过适当调谐耦合激光可实现与线宽成正比的冷却速率。我们的理论预测与 SSC 区中相应的精确解密切吻合，这为边带冷却实验提供了重要的理论指导。
引用
@article{arxiv.2211.08896,
title = {Sideband Cooling of a Trapped Ion in Strong Sideband Coupling Regime},
author = {Shuo Zhang and Zhuo-Peng Huang and Tian-Ci Tian and Zheng-Yang Wu and Jian-Qi Zhang and Wan-Su Bao and Chu Guo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2211.08896},
year = {2022}
}
备注
7 pages, 4 figures