光阱中分子的边带冷却
原子物理
2020-03-11 v3
摘要
边带冷却是一种将原子冷却至光阱基态的常用方法。将同一方法应用于分子需要克服若干挑战。分子中强烈的张量斯塔克位移导致光阱势及其对应的阱频率强烈依赖于转动、超精细和塞曼态。因此，跃迁频率依赖于运动量子数，并且存在额外的加热机制，其中任一机制都可能对边带冷却方案的有效性致命。我们发展了态依赖势中边带冷却的理论，并推导了由光子散射引起的加热表达式。我们计算了磁场存在下以及任意偏振时分子态的交流斯塔克位移。我们表明，通过施加大磁场以消除问题中的电子与核自旋自由度，可大幅降低边带冷却的复杂性。我们考量了所需磁场的大小，表明加热可被充分抑制，并给出了冷却至运动基态的简单方案。
引用
@article{arxiv.1910.10689,
title = {Sideband cooling of molecules in optical traps},
author = {L. Caldwell and M. R. Tarbutt},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.10689},
year = {2020}
}