CsV$_2$Se$_{2-x}$O 与 V$_2$Se$_2$O 的结构及物理性质
材料科学
2018-08-22 v1
摘要
通过固相反应，我们成功合成了新的氧硒化物 CsVSeO（x = 0, 0.5）。这些含有具方晶格的 VO 平面层的化合物以 CeCrSiC 结构结晶，空间群为 。另一新化合物 VSeO 在空间群 中结晶，由 CsVSeO 粉末在四氢呋喃（THF）中与碘通过拓扑化学脱嵌铯制得。电阻测量显示 CsVSeO 呈半导体行为，CsVSeO 呈金属行为，而 VSeO 呈绝缘特征。在 168 K 和 150 K 分别观察到 CsVSeO 与 CsVSeO 的电荷或自旋密度波类反常。这些反常亦由磁化率测量所确认。VSeO 的电阻表现出反常的 log(1/) 温度依赖关系，类似于母体相或极欠掺杂铜氧化物的情况，表明存在强关联。磁化率测量显示 VSeO 中每个 V 位点的磁矩远大于 CsVSeO，这再次提示前者中存在关联诱导的局域化效应。
引用
@article{arxiv.1803.00703,
title = {Structures and Physical Properties of CsV$_2$Se$_{2-x}$O and V$_2$Se$_2$O},
author = {Hai Lin and Jin Si and Xiyu Zhu and Kehan Cai and Hao Li and Lu Kong and Xiaodong Yu and Hai-Hu Wen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1803.00703},
year = {2018}
}
备注
5 pages, 4 figures