不同剂量氦辐照诱导的Ti3SiC2结构变化
材料科学
2020-08-14 v1
摘要
本研究利用掠入射X射线衍射（GIXRD）与拉曼光谱分析，表征了室温（RT）下不同氦辐照剂量（5E15、1E16、5E16与1E17 cm-2）序列下Ti3SiC2 MAX相材料由氦辐照诱导的微观结构变化及演化。根据氦辐照剂量水平，Ti3SiC2的辐照损伤过程可大致分为三个阶段：（1）低损伤剂量下，仅存在晶态与受损的Ti3SiC2；（2）较高辐照剂量下，额外出现部分受损TiC相；（3）在更高辐照剂量下，样品内部亦可发现晶态TiC相。此外，对Ti3SiC2进行450C 5E16 cm-2氦辐照证实了其在较高温度下具有更高的辐照耐受性，这意味着Ti3SiC2有望成为未来高温环境下结构与燃料包覆的潜在材料。
引用
@article{arxiv.2008.05967,
title = {Structural changes of Ti3SiC2 induced by helium irradiation with different doses},
author = {Hongliang Zhang and Ranran Su and Liqun Shi and Daryl J OConnor and Haiming Wen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.05967},
year = {2020}
}