双表面AlO$_x$封装MnBi$_2$Te$_4$中强化的拓扑量子相
材料科学
2025-11-21 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
反磁性拓扑绝缘体MnBiTe的拓扑量子相对于下一代自旋电子器件具有巨大的前景，但其实验实现受限于制备高质量器件的困难。本文报道了一种新的蜡辅助剥离和转移方法，使MnBiTe异构结构能够实现两个表面均被AlO封装。该策略显著增强了MnBiTe薄片中拓扑量子相的表现。我们观察到在单层器件中表现出稳健的轴子绝缘体态，表现为宽广的零磁滞线板au和较高的纵向电阻；在奇数层器件中观察到量子异常霍尔效应，表现为较大的滞回曲线和锐利的板au过渡。这些结果表明，蜡辅助剥离与AlO封装的组合为探索MnBiTe及其他二维材料中的新型拓扑量子现象及其潜在应用提供了巨大的可能性。
引用
@article{arxiv.2506.04901,
title = {Strongly enhanced topological quantum phases in dual-surface AlO$_x$-encapsulated MnBi$_2$Te$_4$},
author = {Zichen Lian and Yongqian Wang and Yongchao Wang and Liangcai Xu and Jinsong Zhang and Chang Liu and Yayu Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2506.04901},
year = {2025}
}