拓扑绝缘体-顺磁体异质结构中的强自旋退相干

磁性材料与拓扑绝缘体之间的界面可驱动奇异物质相的形成，并通过操控强自旋极化输运实现功能。在此，我们报道拓扑绝缘体 Bi$_2$Se$_3$ 中自旋-动量锁定输运被其与 kagome 晶格顺磁体 Co$_7$Se$_8$ 的异质界面处的散射完全抑制。Bi$_2$Se$_{3-}$Co$_7$Se$_{8-}$Bi$_2$Se$_3$ 三层异质结构采用分子束外延生长。磁输运测量显示，即使 Co$_7$Se$_8$ 薄至单层，弱反局域化效应也被大幅抑制，表明存在强退相干机制。Bi$_{2-x}$Co$_x$Se$_3$ 薄膜中 Co 处于非磁性 $3^+$ 态，其弱反局域化在 $x = 0.5$ 时依然存活，与异质结构相比，这表明 Co$^{2+}$ 的无序磁矩是一种强得多的退相干因素。本工作突出了关于拓扑绝缘体界面中自旋极化输运，以及如何将磁性材料与拓扑材料集成以实现奇异相和新颖器件功能的若干重要问题。