半导体中的强场共振动力学
介观与纳米尺度物理
2017-03-10 v1 其他凝聚态物理
摘要
我们预测，被强超短激光脉冲共振激发的直接带隙半导体（GaAs）表现出一种新机制：踢动非谐拉比振荡（KARO）。在该机制中，拉比振荡与带内运动强耦合，带间跃迁主要发生在电子经过布里渊区中心附近的短时间内，此处电子布居发生非常快速的变化。剩余布居分布的不对称性诱导出由载波包络相位控制的电流。所预测的效果可利用光电子能谱和太赫兹光谱实验观测到。
引用
@article{arxiv.1512.01677,
title = {Strong-Field Resonant Dynamics in Semiconductors},
author = {Michael S. Wismer and Stanislav Yu. Kruchinin and Marcelo Ciappina and Mark I. Stockman and Vladislav S. Yakovlev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1512.01677},
year = {2017}
}