用于能带结构提取的强场布洛赫电子干涉测量
光学
2024-05-16 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
当固体中的布洛赫电子暴露于强光学场时，它们会在各自能带中被相干驱动，并在此过程中获得作为能带形状印记的量子相位。若电子接近由两个能带形成的避免交叉，它可能通过经历朗道-齐纳跃迁而发生分裂。我们在此利用后续的朗道-齐纳跃迁来实现强场布洛赫电子干涉测量（SFBEI），从而揭示能带结构信息。特别地，我们测得石墨烯在K点附近的费米速度（能带斜率）为(1.070.04) nm fs。我们期望用于能带结构提取的SFBEI可应用于广泛的材料体系与实验条件，使其适合在环境条件下以飞秒时间分辨率研究能带结构的瞬态变化。
引用
@article{arxiv.2309.16313,
title = {Strong-Field Bloch Electron Interferometry for Band Structure Retrieval},
author = {Tobias Weitz and Christian Heide and Peter Hommelhoff},
journal= {arXiv preprint arXiv:2309.16313},
year = {2024}
}