最佳掺杂 Bi$_2$Sr$_2$CaCu$_2$O$_{8+\delta}$ 中强且复杂的电子-晶格关联
超导电性
2007-05-23 v1 强关联电子
摘要
我们利用角分辨光电子能谱（ARPES）数据中的同位素效应（IE），讨论了最佳掺杂 BiSrCaCuO 样品中电子-晶格相互作用的性质。ARPES 线宽中的 IE 和 ARPES 色散中的 IE 都相当大，这意味着存在强的电子-晶格关联。电子-晶格相互作用的强度是“中间的”，即强于 Migdal-Eliashberg 区域但弱于小极化子区域，这需要对 ARPES“扭结”有一个比常用的 Migdal-Eliashberg 图像更一般的描述。这两个 IE 也意味着复杂的相互作用，因为它们具有很强的动量依赖性和不同的符号行为。总之，我们提出电子通过电荷密度涨落与局域晶格振动之间存在中等强度的耦合。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0701291,
title = {Strong and complex electron-lattice correlation in optimally doped Bi$_2$Sr$_2$CaCu$_2$O$_{8+\delta}$},
author = {G. -H. Gweon and S. Y. Zhou and M. C. Watson and T. Sasagawa and H. Takagi and A. Lanzara},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0701291},
year = {2007}
}