离子注入制备的三供体器件的策略
量子物理
2008-06-18 v1
摘要
三供体器件有潜力通过 CTAP（相干隧穿绝热通道）协议表现出绝热隧穿，该协议是可扩展量子计算的一种候选输运机制。我们理论上研究了利用计数离子注入进行掺杂剂分布的统计，采用了氢原子假设下 CTAP 输运性质的解析处理。我们确定了不同注入能量下原理验证器件的理论器件产率。特别地，我们确定了在硅中 14 keV 磷、名义 20 nm 间距下具有显著理论器件产率（约 80%）。
引用
@article{arxiv.0806.2691,
title = {Strategies for triple-donor devices fabricated by ion implantation},
author = {Jessica A. Van Donkelaar and Andrew D. Greentree and Lloyd C. L. Hollenberg and David N. Jamieson},
journal= {arXiv preprint arXiv:0806.2691},
year = {2008}
}
备注
10 pages, 3 figures