Janus MnBi2SexTe4-x单层中应变工程量子反常霍尔效应
材料科学
2025-02-26 v2
摘要
探索用于下一代自旋电子器件的本征磁性拓扑绝缘体（TI）在近年来仍然具有挑战性。在此，我们对单层（ML）Janus MnBi2TexSe4-x的电子、磁性和拓扑性质进行了理论研究，该材料源自两个平凡的磁性半导体ML MnBi2Se4和MnBi2Te4。我们的能带结构分析表明，八种Janus结构中有两种表现出由自旋轨道耦合引起的能带反转。这些结构被证实具有非零整数陈数，表明其拓扑性质。此外，拓扑态在适度的双轴应变下是稳健的。有趣的是，施加压缩应变会导致高陈数2，并增强其在高温下的磁稳定性。我们的发现为在MnBi2Te4家族单层中工程化磁性拓扑绝缘体态提供了一种有效策略。
关键词
引用
@article{arxiv.2409.07740,
title = {Strain-engineering quantum anomalous Hall effect in janus MnBi2SexTe4-x monolayers},
author = {Jiale Chen and Pengfei Li and Jun Hu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2409.07740},
year = {2025}
}
备注
18 pages, 8 figures