应变工程调控 Mott 绝缘体 La$_2$CuO$_4$

O. Ivashko; M. Horio; W. Wan; N. B. Christensen; D. E. McNally; E. Paris; Y. Tseng; N. E. Shaik; H. M. Rønnow; H. I. Wei; C. Adamo; C. Lichtensteiger; M. Gibert; M. R. Beasley; K. M. Shen; J. M. Tomczak; T. Schmitt; J. Chang

doi:10.1038/s41467-019-08664-6

应变工程调控 Mott 绝缘体 La$_2$CuO$_4$

强关联电子 2019-03-06 v3 超导电性

作者: O. Ivashko , M. Horio , W. Wan , N. B. Christensen , D. E. McNally , E. Paris , Y. Tseng , N. E. Shaik , H. M. Rønnow , H. I. Wei , C. Adamo , C. Lichtensteiger , M. Gibert , M. R. Beasley , K. M. Shen , J. M. Tomczak , T. Schmitt , J. Chang

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摘要

非常规超导的转变温度 $T_\textrm{c}$ 通常是可调的。例如，对于单层 FeSe，其最佳点唯一地依赖于钛氧化物衬底。相比之下，对于 La $_{2-\mathrm{x}}$ Sr $_\mathrm{x}$ CuO $_4$ 薄膜，此类衬底并非最优，最高 $T_\textrm{c}$ 反而是由 LaSrAlO $_4$ 获得。因此，一个突出的挑战是理解薄膜中超导的最佳条件：哪些微观参数驱动了 $T_\mathrm{c}$ 的变化，以及我们如何调控它们？在此，我们通过结合 X 射线吸收与共振非弹性 X 射线散射光谱，展示了如何通过压缩应变增强 La $_2$ CuO $_4$ 薄膜的库仑与磁交换相互作用。我们的实验与理论计算确立，在掺杂下产生最大 $T_\textrm{c}$ 的衬底同时也产生最大的最近邻跳跃积分、库仑与磁交换相互作用。因此我们建议，优化母体 Mott 态可作为增强铜氧化物超导转变温度的一种策略。

关键词

应变工程 Mott 绝缘体 La$_2$CuO$_4$ 超导库仑相互作用磁交换薄膜

引用

@article{arxiv.1805.07173,
  title  = {Strain-Engineering Mott-Insulating La$_2$CuO$_4$},
  author = {O. Ivashko and M. Horio and W. Wan and N. B. Christensen and D. E. McNally and E. Paris and Y. Tseng and N. E. Shaik and H. M. Rønnow and H. I. Wei and C. Adamo and C. Lichtensteiger and M. Gibert and M. R. Beasley and K. M. Shen and J. M. Tomczak and T. Schmitt and J. Chang},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1805.07173},
  year   = {2019}
}

备注

15 pages, 7 figures and 2 tables (including Supplementary Information)

应变工程调控 Mott 绝缘体 La$_2$CuO$_4$

摘要

关键词

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