应变作为交变磁体 CrSb 中的拓扑选择器
材料科学
2026-01-23 v1
摘要
交变磁性结合了完全补偿的磁序与关联不等价自旋子晶格的磁对称性,为非常规拓扑相提供了一个有前景但仍未被充分探索的平台。本文我们证明,在交变磁性外尔半金属 CrSb 中,由有效哈伯德相互作用 控制的各向同性拉伸应变和电子局域化均可作为高效且系统性的拓扑控制参数。虽然 CrSb 在平衡态下承载外尔费米子,但 4-5% 的适度拉伸应变可稳定额外的对称性允许的狄拉克交叉点和三重简并费米子,进一步的应变则选择性地有利于三重简并相。我们提出了一个三维低能哈密顿量,该模型捕捉了哈伯德相互作用 与交变磁体子晶格对称性之间的相互作用,从而产生了相互作用驱动的狄拉克交叉。我们的结果确立了 CrSb 作为一个模型交变磁体,其中应变或电子局域化均可选择性地访问和控制交变磁体固有的不同拓扑。
引用
@article{arxiv.2601.15916,
title = {Strain as a topological selector in altermagnetic CrSb},
author = {Sumohan Giri and Nirmal Ganguli},
journal= {arXiv preprint arXiv:2601.15916},
year = {2026}
}
备注
8 pages, 5 figures