半导体沟道中电子对快运动点电荷的阻止本领

实现了带电粒子系统对快运动点状射弹的阻止本领的非微扰动力学框架。该框架中两体弹性散射所需的对相互作用势能基于系统粒子间的屏蔽相互作用能。在此能量优化建模中,快运动裸射弹与固定密度相互作用多体靶的独立屏蔽组分相互作用。计算了首次玻恩动量转移(输运)截面,从而与在Si中沟道条件下由快离子$Z_1\in{[9,17]}$和$(v/v_0)\simeq{11}$获得的阻止数据[Phys. Rev. B {\bf 26}, 2335 (1982)]进行比较。基于弹性散射的理论阻止本领与实验观测到的减小量之间发现了定量一致。通常,利用等分定则将此类观测量的减小量解释为由无动量转移到价电子部分的集体经典等离子体模所介导的非弹性能量损失。在领头阶即首次玻恩-贝特项($Z_1^2$)之外,依据Lindhard关于屏蔽相互作用的论证讨论了Barkas($Z_1^3$)与Bloch($Z_1^4$)项。并概述了向温稠密等离子体对快电荷阻止情形的扩展。