SrTiO3 上外延 FeSe 薄膜的化学计量比与缺陷超结构
超导电性
2020-07-21 v1 材料科学
摘要
采用低温扫描隧道显微镜研究不同生长后退火条件下 SrTiO3(001) 衬底上外延 FeSe 薄膜的化学计量比与缺陷。低温下过量供给 Se 的退火会导致 Fe 空位和超结构的形成，并伴随 FeSe 薄膜中超导（金属）到绝缘体的转变。相比之下，高温退火可消除 Fe 空位和超结构，从而恢复单层 FeSe 薄膜的高温超导相。我们还在低温退火过程中观察到多层 FeSe，其被揭示与 Fe 空位形成和吸附原子迁移有关。我们的结果记录了薄膜化学计量比非常特殊的作用，并有助于厘清单层 FeSe 薄膜性质中的若干争议。
引用
@article{arxiv.2007.09823,
title = {Stoichiometry and defect superstructures in epitaxial FeSe films on SrTiO3},
author = {Xue-Qing Yu and Ming-Qiang Ren and Yi-Min Zhang and Jia-Qi Fan and Sha Han and Can-Li Song and Xu-Cun Ma and Qi-Kun Xue},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.09823},
year = {2020}
}
备注
5 pages, 4 figures