磁性存储单元中涉及畴壁运动的磁化反转随机过程
材料科学
2021-02-24 v1 应用物理
摘要
我们通过时间分辨电导测量实验表明，在直径小于 100 nm 的磁隧道结中，经由畴壁运动的磁化反转由两个明显的随机效应主导。第一个涉及与畴壁成核相关的孕育时间，第二个源于 Walker 区中的随机运动。微磁学模拟揭示了壁在圆盘中心附近暂时钉扎的若干因素，包括 Bloch 点成核和壁进动。我们表明，在尺寸最优的圆盘中当 Bloch 和 Néel 壁轮廓在能量上简并时，可恢复可重复的弹道运动，从而实现准确定性运动。
引用
@article{arxiv.2009.07492,
title = {Stochastic processes in magnetization reversal involving domain wall motion in magnetic memory elements},
author = {Paul Bouquin and Joo-Von Kim and Olivier Bultynck and Siddharth Rao and Sebastien Couet and Gouri Sankar Kar and Thibaut Devolder},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.07492},
year = {2021}
}