利用紧束缚方法模拟超薄绝缘覆盖层上分子的 STM 成像：Cu 上 NaCl 双层上的 Au-并五苯
材料科学
2015-05-13 v1
摘要
我们提出了一种快速高效的紧束缚 (TB) 方法，用于模拟吸附在超薄绝缘薄膜上的吸附分子的扫描隧道显微镜 (STM) 成像。由于绝缘覆盖层的存在导致分子与金属表面电子解耦，前沿分子轨道的 STM 图像可以使用一种非常高效的方案进行模拟，该方案还能分析 STM 电流中的相移。吸附在 Cu 衬底上 NaCl 双层上的 Au-并五苯络合物提供了一个复杂的模型系统，此前已在实验和理论上进行过研究。我们的计算表明，分子轨道的复杂形状可能导致多值恒流表面，从而导致 STM 图像的模糊性。发现使用 TB 方法获得的结果与 DFT 计算和实验数据均一致。
引用
@article{arxiv.0805.3035,
title = {STM Simulation of Molecules on Ultrathin Insulating Overlayers Using Tight-Binding: Au-Pentacene on NaCl bilayer on Cu},
author = {Antti Korventausta and Sami Paavilainen and Eeva Niemi and Jouko Nieminen},
journal= {arXiv preprint arXiv:0805.3035},
year = {2015}
}
备注
19 pages, 5 figures