氮-空位中心产生的统计研究
材料科学
2016-08-11 v2 计算物理
摘要
实验表明，浅层氮离子注入（<10keV）产生的带负电氮-空位中心（NV-）产率为 0.01-0.1%。将 NV- 中心引入碳矩阵最成功的技术是离子注入随后在 1100K 下退火。我们利用分子动力学（MD）和蒙特卡洛（MC）方法研究了浅层注入期间沟道效应和统计扩散的影响。使用密度泛函理论（DFT）计算了扩散过程的能垒。我们的模拟显示，与实验相比，NV 产率存在显著差异。在统计上，25% 的注入氮在退火后形成了 NV 中心。
引用
@article{arxiv.1303.3730,
title = {Statistical investigations on nitrogen-vacancy center creation},
author = {Denis Antonov and Timo Häußermann and Andrew Aird and Johannes Roth and Hans-Reiner Trebin and Christoph Müller and Liam McGuiness and Fedor Jelezko and Takashi Yamamoto and Junichi Isoya and Sébastien Pezzagna and Jan Meijer and Jörg Wrachtrup},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.3730},
year = {2016}
}
备注
5 pages, 6 figures