通过SiO2屏蔽层在金刚石上进行N+离子注入产生的氮-空位中心
材料科学
2017-05-24 v1 量子物理
摘要
我们报道了一种利用SiO2制成的屏蔽掩模来控制深度分布和剂量的离子注入技术。通过适当选择屏蔽层的厚度，该方法完全抑制了离子沟道效应，将最高NV密度位置带到表面，并有效地将剂量降低了三个数量级以上。使用能量为10 keV、剂量为10^11 cm^2的标准离子注入系统，无需额外的刻蚀工艺，我们在表面附近创建了单个NV中心，其相干时间达数十微秒。
引用
@article{arxiv.1703.06310,
title = {Nitrogen-vacancy centers created by N$^+$ ion implantation through screening SiO$_2$ layers on diamond},
author = {Kazuki Ito and Hiroshi Saito and Hideyuki Watanabe and Tokuyuki Teraji and Kohei M. Itoh and Eisuke Abe},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.06310},
year = {2017}
}
备注
5 pages, 4 figures