电流作用下中心对称交变磁体中的交错非线性自旋产生

电流诱导的自旋产生对于电可控磁化具有重要意义。由于对称性约束，线性自旋产生在中心对称磁体中不存在，因此非线性贡献变得至关重要。然而，在具有相反自旋子晶格的中心对称补偿磁体中，非线性自旋产生的例子很少，这阻碍了对相关磁化的电控制。在这里，我们研究了具有相反自旋子晶格的交变磁体中的非线性自旋产生。在一个方形交变磁体模型中，交错和均匀的非线性自旋产生出现在相反自旋的子晶格上。它们随着磁化方向旋转而变化，并出现面外分量，可用于高密度存储设备的垂直磁化翻转。通过第一性原理计算，发现典型的交变磁体Fe₂Se₂O单层中存在可观的面外交错非线性自旋产生。我们的发现为基于补偿磁体的电控磁化和设计高能效磁器件提供了机会。