共线反歧磁体中的磁预cession诱导的自旋积累

生成和表征反歧磁体中的均匀自旋极化与错位自旋极化是反磁性自旋电子器件的关键挑战之一。本文通过微扰理论、群论对称性分析、低能模型和第一性原理仿真，提出在平衡磁轴附近发生磁预cession可在单一AFM半导体中产生有限的均匀自旋极化和错位自旋极化（即产生总磁矩和Néel矢量）。这种响应无需异质结结构，即可消除结合处的晶格错配问题。通过细致审视所有受对称性保护的磁矩消失群，尤其聚焦于时空不变（PT）群，我们识别了描述错位自旋积累响应的对称性约束，揭示了其场状和阻尼状特征。这揭示了AFM半导体中一种隐藏的自旋积累模式。此外，我们采用微扰方法进行仿真，并建议电场门控和Floquet光调制可有效操控这些响应。