通过 SiO2 封装稳定 van der Waals NbOI2 以用于光子器件
光学
2026-01-21 v1 材料科学
摘要
钼氧二碘（NbOI2）是一种新兴材料，广泛应用于光子器件和电子器件，因其卓越的二阶非线性和显著的平面铁电性而突出，这两者均源于其高度各向异性的 ABC 堆叠晶体结构。其破坏中心对称性使其光学非线性效率随厚度线性增长，使多层 NbOI2 高度适用于非线性频率转换，如二次谐波产生或随机参量下转换，可用于 bulk 或波导器件。然而，在常温下 NbOI2 会在数周内 degrades 成无定形氧化物，严重削弱其非线性响应。为克服这一问题，我们研究了通过物理蒸 deposition 实现的 SiO2 封装，以保护 NbOI2 多层材料免受环境降解。我们的系统性研究表明，封装可保持结构完整性和非线性光学性能，使 NbOI2 成为适用于 Foundry 兼容光子平台和量子技术的稳定材料候选。
引用
@article{arxiv.2601.12470,
title = {Stabilizing van der Waals NbOI2 by SiO2 encapsulation for Photonic Applications},
author = {Gia Quyet Ngo and Fatemeh Abtahi and Jakub Regner and Hossein Esfandiar and Peter Munzert and Jan Plutnar and Zdenek Sofer and Falk Eilenberger and Sebastian W. Schmitt},
journal= {arXiv preprint arXiv:2601.12470},
year = {2026}
}
备注
19 pages, 8 figures