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通过部分Pd替代稳定化Tb基214铜氧化物

超导电性 2018-08-01 v2

摘要

此前已知仅在高压合成条件下才能形成,本文我们报道基于稀土原子Tb的T'-型214结构铜氧化物通过以Pd部分替代Cu而在常压合成下实现稳定化。该新材料在标称组成为 Tb1.96Cu0.80Pd0.20O4Tb_{1.96}Cu_{0.80}Pd_{0.20}O_{4} 的混合物中以获得最纯形式。其精修化学式(正交空间群Pbca,a = 5.5117(1) {\AA},b = 5.5088(1) {\AA},c = 11.8818(1) {\AA})为 Tb2Cu0.83Pd0.17O4Tb_{2}Cu_{0.83}Pd_{0.17}O_{4}。通过电子衍射与高分辨成像可见沿a轴的不 commensurate 结构调制。磁化率测量揭示在7.9 K存在长程反铁磁有序,并在95 K处有一个较不明显的特征;观察到在3 K、约1.1特斯拉场下 onset 的磁矩重取向转变。该材料为n型半导体。

关键词

引用

@article{arxiv.1804.04201,
  title  = {Stabilizing the Tb-based 214 cuprate by partial Pd substitution},
  author = {Yuzki M. Oey and James Eujin Park and Jing Tao and Elizabeth M. Carnicom and Tai Kong and Marisa B. Sanders and R. J. Cava},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1804.04201},
  year   = {2018}
}

备注

25 pages, 9 figures, 1 table