电阻率对 NSTX 中低$n$边缘局域模的稳定效应
等离子体物理
2016-07-26 v1
摘要
首次报道了在国家球形托卡马克实验(NSTX)中,由于锂调理导致的 H 模放电边缘局域模(ELM)抑制背景下,增强的边缘电阻率对低边缘局域模(ELM)的稳定效应。此处为环向模数。对应实验平衡的线性稳定性分析表明,仅由锂调理引起的平衡等离子体密度分布的变化可能不足以完全抑制 ELM。锂调理后有效电荷数 增加导致的增强电阻率可以解释完全抑制 ELM 所需的额外稳定效应。值得注意的是,这种增强的边缘电阻率对低 ELM 的稳定效应仅在磁流体动力学(MHD)模型中考虑双流体效应时才存在。
引用
@article{arxiv.1607.07358,
title = {Stabilizing effects of resistivity on low-n edge localized modes in NSTX},
author = {Debabrata Banerjee and Ping Zhu and Rajesh Maingi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.07358},
year = {2016}
}
备注
13 pages, 6 figures