Pr$_2$Ir$_2$O$_7$外延薄膜中由应变诱导的自发霍尔效应

Takumi Ohtsuki; Zhaoming Tian; Akira Endo; Mario Halim; Shingo Katsumoto; Yoshimitsu Kohama; Koichi Kindo; Satoru Nakatsuji; Mikk Lippmaa

Pr$_2$Ir$_2$O$_7$外延薄膜中由应变诱导的自发霍尔效应

强关联电子 2017-11-22 v1

作者: Takumi Ohtsuki , Zhaoming Tian , Akira Endo , Mario Halim , Shingo Katsumoto , Yoshimitsu Kohama , Koichi Kindo , Satoru Nakatsuji , Mikk Lippmaa

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摘要

具有几何阻挫自旋的强关联铱酸盐烧绿石已被认为是一类可能出现新颖拓扑相的潜在有趣氧化物材料。一个特别吸引人的体系是金属性Pr $_2$ Ir $_2$ O $_7$ ，因为它被称为Fermi节点半金属，其特征是布里渊区中心处的二次带接触，表明其电子态的拓扑可由中等晶格应变调控。本工作中我们报道了通过固相外延生长的外延Pr $_2$ Ir $_2$ O $_7$ 薄膜。我们展示薄膜的应变部分产生了自发霍尔效应，该效应持续至50 K，而在我们的实验精度内无自发磁化。这表明宏观时间反演对称性(TRS)破缺出现在远高于由Pr 4 $f$ 磁矩引起磁性的温度尺度上，因此必然与铱5 $d$ 电子的磁序相关。磁输运与霍尔分析结果与非Weyl半金属态的形成一致，该态由TRS破缺和晶格应变导致的立方对称性破缺共同诱导。

关键词

铱酸盐烧绿石外延薄膜自发霍尔效应晶格应变 Weyl半金属时间反演对称性

引用

@article{arxiv.1711.07813,
  title  = {Spontaneous Hall effect induced by strain in Pr$_2$Ir$_2$O$_7$ epitaxial thin films},
  author = {Takumi Ohtsuki and Zhaoming Tian and Akira Endo and Mario Halim and Shingo Katsumoto and Yoshimitsu Kohama and Koichi Kindo and Satoru Nakatsuji and Mikk Lippmaa},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1711.07813},
  year   = {2017}
}

备注

7 pages, 4 figures

Pr$_2$Ir$_2$O$_7$外延薄膜中由应变诱导的自发霍尔效应

摘要

关键词

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