由自旋塞贝克效应诱导的自旋穿越反铁磁体输运

对于基于纯自旋流传播的前景自旋电子器件，反铁磁体是一类有趣的材料，与铁磁体相比可能具有若干优势。在此，我们通过原子级自旋动力学模拟，对铁磁-反铁磁多层膜中的磁子自旋流输运进行了详细的理论研究。确定了反铁磁体中磁子自旋输运的相关长度尺度。我们展示了由于仅在反铁磁体中激发单一磁子支，角动量从铁磁体转移到反铁磁体。作为一个实验体系，我们探明了YIG|Ir$_{20}$Mn$_{80}$|Pt异质结构中穿越反铁磁体的输运。我们确定了由YIG中自旋塞贝克效应产生的自旋流的自旋输运信号，并与异质结构堆栈中自旋霍尔磁电阻的测量结果进行比较。借助温度依赖和厚度依赖的测量，我们推导出关于穿越IrMn的自旋输运机制的论断，并将其与顺磁-反铁磁相变相关联。