自旋退相位长度内超薄磁体界面的自旋透射率

我们考察一种修正的漂移-扩散形式体系，以描述厚度近似或小于自旋退相位长度附近的超薄磁体中的自旋输运。以往大多数关于自旋转矩的理论假设注入自旋电流的横向分量完全退相位从而被铁磁体完全吸收。然而，在近期研究关注的先进多层体系中，铁磁体厚度在纳米量级或更小，因此不能安全地假定自旋退相位是完美的。为描述有限退相位率的影响，我们采用透射混合电导的概念，其此前在漂移-扩散形式体系中的应用有限。为简洁描述物理后果，我们引入有效自旋透射率。有趣的是，对于具有有限退相位率的超薄磁体，自旋透射率甚至可增强，且即使在没有自旋混合电导虚部时也会出现不可忽略的场状自旋轨道转矩。有效自旋透射率为漂移-扩散形式体系提供了简单推广，便于实验人员分析其结果。