Rashba效应下半导体/铁磁结构中的自旋转移矩
介观与纳米尺度物理
2017-03-08 v1
摘要
当从非磁性介质流向铁磁介质的自旋电流的横向分量被界面吸收时，磁结构中就会发生自旋转移矩。在本文中，考虑半导体区域的Rashba效应，我们讨论了半导体/铁磁结构中的自旋转移矩，并获得了两种模型的自旋电流密度分量：(I)单电子和(II)电子分布。我们已经表明，无论半导体中的费米面与铁磁体中上旋和下旋的费米球之间的差异增加多少，透射概率都会降低。本文所用数值获得的结果说明，Rashba效应增加了半导体中的费米球与铁磁体中上旋和下旋的费米球之间的差异。结果还表明，Rashba效应为自旋转移矩的分量带来了在不存在Rashba相互作用时所没有的额外贡献。此外，Rashba项对自旋转矩转移的横向分量也有不同影响。
引用
@article{arxiv.1608.02129,
title = {Spin Transfer Torque in the Semiconductor/Ferromagnetic Structure in the Presence of Rashba Effect},
author = {Javad Vahedi and Sahar Ghasab Satoory},
journal= {arXiv preprint arXiv:1608.02129},
year = {2017}
}
备注
9 pages, 6 figures