HgTe量子阱中表面态的自旋分裂
介观与纳米尺度物理
2019-02-20 v2
摘要
我们报道了在施加顶栅电压下，18–22 nm HgTe量子阱导带中Shubnikov-de Haas振荡出现的拍频现象。对拍频的分析揭示了由于第一导带子带H1的Rashba样自旋分裂而在费米能级处产生两种电子浓度。两种浓度之差dN_s随栅电压的变化可由一个提出的涉及局域于量子阱界面的表面态的简化静电模型定性解释。dN_s的实验值也与采用八带kp哈密顿量自洽求解Poisson和Schrodinger方程的结果在定量上吻合良好。我们的结果清楚地表明，第一导带子带的大自旋分裂是由与重空穴带杂化的H1态的表面性质所引起的。
引用
@article{arxiv.1810.06174,
title = {Spin splitting of surface states in HgTe quantum wells},
author = {A. A. Dobretsova and Z. D. Kvon and S. S. Krishtopenko and N. N. Mikhailov and S. A. Dvoretsky},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.06174},
year = {2019}
}
备注
7 pages, 7 figures