超导体中的自旋 Meissner 效应与 Meissner 效应的起源

J. E. Hirsch

doi:10.1209/0295-5075/81/67003

超导体中的自旋 Meissner 效应与 Meissner 效应的起源

超导电性 2008-03-02 v2 强关联电子

作者: J. E. Hirsch

在 arXiv 上查看 ↗ PDF ↗ DOI ↗

摘要

我们提出了超导体中 Meissner 效应的动力学解释，并预言了自旋 Meissner 效应的存在：即在没有施加外部场的情况下，宏观自旋电流在超导体表面伦敦穿透深度 $\lambda_L$ 范围内流动，其载流子密度等于超流密度，载流子速度为 $v=\hbar/(4m_e\lambda_L)$ （其中 $m_e=$ 裸电子质量）。Cooper 对的两个成员在半径为 $2\lambda_L$ 的轨道上沿相反方向环流，且 Cooper 对中的自旋电流具有轨道角动量 $\hbar$ 。我们的描述还为 I 型和 II 型超导体之间的差异提供了一种“几何”解释。

关键词

Meissner 效应自旋 Meissner 效应超导体伦敦穿透深度 Cooper 对自旋电流 I 型和 II 型超导体

引用

@article{arxiv.0710.0876,
  title  = {Spin Meissner Effect in Superconductors and the Origin of the Meissner Effect},
  author = {J. E. Hirsch},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0710.0876},
  year   = {2008}
}

备注

Interpretation of type I vs. type II behavior added (fig. 2)

超导体中的自旋 Meissner 效应与 Meissner 效应的起源

摘要

关键词

引用

备注

相关论文