超导体中的电荷排斥、自旋迈斯纳效应与电荷不均匀性

超导电性发生在具有大量负电荷的系统中：铜氧化物中高度带负电的 $(CuO2)^{--}$ 平面、铁砷化物中带负电的 $(FeAs)^-$ 平面，以及二硼化镁中带负电的 $B^-$ 平面。此外，几乎所有超导体在正常态都具有正的霍尔系数，表明其能带近乎被负电子填满。根据空穴超导电性理论，金属之所以变成超导体，是因为它们被驱动将负电荷（电子）从其内部排出。这就是为何 NIS 隧道谱不对称，负偏压样品具有更大电流。这也是存在迈斯纳效应的原因：在磁场存在下，当电子被排向表面时，洛伦兹力赋予它们方位角速度，从而产生屏蔽内部磁场的表面迈斯纳电流。在第二类超导体中，作用于未到达表面的被排出电子上的洛伦兹力，产生了涡旋电流的方位角速度。在没有外加磁场的情况下，由于自旋-轨道相互作用，被排出的电子仍然获得方位角速度，且自旋向上和自旋向下的电子方向相反，即“自旋迈斯纳效应”。这导致在无外加场时，超导体表面附近有宏观自旋电流流动。在强第二类超导体中，这一物理过程应导致超导体内部各处出现电荷不均匀性和自旋电流，对（非磁性）无序高度敏感，并具有强烈的相分离趋势。