Kagome晶格中Rashba自旋轨道耦合下的自旋霍尔效应

我们研究了具有Rashba自旋轨道耦合的kagome晶格中的自旋霍尔效应。数值计算了守恒的自旋霍尔电导$\sigma_{xy}^{s}$（见正文）及其两个分量，即常规项$\sigma_{xy}^{s0}$和自旋扭矩偶极项$\sigma_{xy}^{s\tau}$，它们作为电子费米能$\epsilon_{F}$的函数呈现出一系列平台。我们还给出了一致的双能带分析以及Berry相位解释。我们表明，这些平台是调节$\epsilon_{F}$时不同费米面拓扑结构的结果。特别地，我们预测，与费米面包围布里渊区$\mathbf{\Gamma}$点的情况相比，当费米面包围$\mathbf{K}$点时，自旋霍尔电导的幅度增强了两倍，这使得未来系统地开展$\mathbf{K}$谷自旋电子学研究具有高度意义。