Ti$_{60}$V$_{40}$合金中的自旋涨落及其对超导电性的影响

我们报道了Ti$_{0.6}$V$_{0.4}$合金中电阻率和直流磁化率的温度与磁场依赖性以及零场热容的温度依赖性的实验研究。该Ti$_{0.6}$V$_{0.4}$合金的正常态直流磁化率的温度依赖性显示出T$^2$lnT行为。电阻率的温度依赖性在20-50 K范围内遵循T$^2$行为。另一方面，在观察到电阻率T$^2$依赖性的温度下，为了解释热容的温度依赖性，需要在包含电子和晶格热容的表达式中加入T$^3$lnT项。直流磁化率、电阻率和热容的这种温度依赖性表明系统中存在自旋涨落。自旋涨落的进一步实验证据以电阻率温度依赖性中T$^5$项的负值形式获得。详细讨论了自旋涨落对Ti$_{0.6}$V$_{0.4}$超导性质的影响。我们从正常态和超导态的电阻率和磁化率分析中表明，Ti$_{0.6}$V$_{0.4}$合金中存在的自旋涨落是巡游性的。有一些证据表明，在远高于超导转变温度的温度范围内存在预形成的库珀对。我们的研究表明，自旋涨落与超导电性之间的有趣关联实际上可能在超导材料中相当普遍，而不一定局限于某些特殊化合物类别。