200 K 附近 Cd2Re2O7 物理性质中的涨落效应
强关联电子
2016-08-31 v3 超导电性
摘要
对 Cd2Re2O7 电导率 、磁化率 、比热 C 和霍尔系数 R 的实验调查揭示了一次来源不确定的连续相变，临界温度 T* = 200 K。电子和 X 射线衍射测量表明，伴随电子性质变化发生的是一致结构转变，暗示晶格及电子自由度均参与该相变。观察到 、 与 C 之间的显著比例关系，表明涨落在相变临界区起关键作用。对数据进行评估时，既考虑了自旋涨落也考虑了离子密度涨落。虽然所观察的结构转变暗示离子密度涨落可能起重要作用，但 与 在宽温度范围内的比例关系表明自旋涨落也可能发挥作用。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0108402,
title = {Fluctuation Effects on the Physical Properties of Cd2Re2O7 Near 200 K},
author = {R. Jin and J. He and J. R. Thompson and M. F. Chisholm and B. C. Sales and D. Mandrus},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0108402},
year = {2016}
}
备注
4 pages, 4 figures