强自旋轨道耦合表面中时变电场诱导的自旋翻转跃迁
介观与纳米尺度物理
2012-10-17 v1 材料科学
摘要
我们对具有强自旋轨道耦合的 Pb/Ge(111) 表面的光吸收率进行了全面的理论研究。计算表明，电子自旋翻转跃迁导致了高达 6% 的总光吸收，比 Rashba 类系统增强了一个数量级。因此，研究表明，照射该名义上非磁性表面的大部分光在自旋翻转过程中被衰减。值得注意的是，自旋翻转跃迁概率在布里渊区内的明确热点处呈现结构化分布，在这些热点处电子自旋经历突发的 90 度旋转。该机制提供了一种通过光学手段研究自旋轨道现象的实验途径。
引用
@article{arxiv.1210.4506,
title = {Spin-flip transitions induced by time-dependent electric fields in surfaces with strong spin-orbit interaction},
author = {Julen Ibañez-Azpiroz and Asier Eiguren and Eugene Ya. Sherman and Aitor Bergara},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.4506},
year = {2012}
}
备注
5 pages, 4 figures