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掺杂 Y2BaNiO5 中空穴的自旋动力学

强关联电子 2009-10-31 v1

摘要

从包含相关 Ni 和 O 轨道的多能带哈密顿量出发,我们推导出描述掺杂 Y2_{2}BaNiO5_{5} 低能态物理的有效哈密顿量 HeffH_{eff}。对于空穴掺杂,HeffH_{eff} 描述 O 费米子与 S=1 Ni 自旋链之间的相互作用,无法进一步化约为简单的一能带模型。通过数值技术,我们获得了具有哈德哈尔能隙重量的动力学自旋结构因子。这些低能激发的本质被鉴定,正在出现的物理图景与 Y% 2x_{2-x}Cax_{x}BaNiO5_{5} 中的大部分实验信息相一致。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/9810387,
  title  = {Spin dynamics of hole doped Y2BaNiO5},
  author = {C. D. Batista and A. A. Aligia and J. Eroles},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9810387},
  year   = {2009}
}

备注

4 pages, 2 figures