n型GaAs中的自旋退相干：第三体排斥方法对电子-电子散射的有效性
材料科学
2015-06-23 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们使用系综蒙特卡罗方法研究了室温下中等电子密度的n型体GaAs中的自旋退相干。我们证明了由Ridley设计的第三体排斥方法可以成功地适用于系综蒙特卡罗算法，并用于处理电子-电子散射对自旋退相干的贡献问题。
引用
@article{arxiv.1410.3278,
title = {Spin decoherence in n-type GaAs: the effectiveness of the third-body rejection method for electron-electron scattering},
author = {Gionni Marchetti and Matthew Hodgson and Irene D'Amico},
journal= {arXiv preprint arXiv:1410.3278},
year = {2015}
}
备注
8 pages, 5 figures, accepted by Journal of Applied Physics