蜂窝晶格 \textit{t}-\textit{J} 模型中的自旋电荷分离与非常规超导

掺杂 Mott 绝缘体的物理本质已被深入研究三十余年。众所周知，二分晶格上的单带 Hubbard 模型或 $t$-$J$ 模型是描述掺杂 Mott 绝缘体的最简模型。遗憾的是，这些玩具模型中超导的关键机制仍在争论中。本文基于 Grassmann 张量乘积态数值模拟和自旋电荷分离表述，提出了蜂窝晶格 $t$-$J$ 模型小掺杂区出现的 $d+id$ 波超导（SC）的新机制。此外，在反铁磁序存在时，我们在半填充附近发展了空穴子的连续有效场论。它揭示了由自旋子涨落和规范涨落分别诱导的排斥与吸引空穴子相互作用之间的竞争。在较大的 $t/J$ 值下，排斥相互作用占主导，导致非费米液体-like 行为；而在适中的 $t/J$ 范围内，吸引相互作用占主导，导致 SC 序。还讨论了自旋电荷分离现象的可能实验探测。