辐射诱导零电阻态区间内的自旋表征与控制
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
在辐射诱导零电阻态及相关振荡磁阻的区间内，我们提出了一种低磁场下的量子霍尔极限技术类比，用于电学检测电子自旋共振和核磁共振、通过电子自旋共振实现动态核极化、以及通过奥弗豪泽位移电学表征核自旋极化。此外，利用观测到的辐射诱导振荡磁阻中的拍频，发展出一种测量和控制高迁移率GaAs/AlGaAs体系中由比科夫-拉什巴项和体反演不对称项引起的零场自旋劈裂的方法。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0407143,
title = {Spin characterization and control over the regime of radiation-induced zero-resistance states},
author = {R. G. Mani},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0407143},
year = {2007}
}
备注
IEEE Transactions in Nanotechnology (to be published); 10 pages, 10 color figures