ABCB 四层石墨烯中自旋与电荷涨落诱导的配对
超导电性
2024-11-07 v2 介观与纳米尺度物理
强关联电子
摘要
受近期 ABCB 堆叠四层石墨烯的实验实现 [Wirth 等人, ACS Nano 16, 16617 (2022)] 的启发，我们使用轨道分辨的随机相位近似方法，针对真实相互作用分布研究了无摩尔纹石墨烯四层中的关联现象。我们证明，源于局域相互作用的磁涨落在电子与空穴掺杂侧靠近范霍夫奇点时至关重要，促进了层选择性的亚铁磁态。这些磁态周围的自旋涨落由于谷间散射增强了非常规自旋三重态、谷单态且具 波对称性的超导性。源于长程库仑相互作用的电荷涨落在范霍夫奇点附近促进了双重简并的 p 波超导性。在 ABCB 石墨烯的导带边，我们发现自旋与电荷涨落共同驱动 波超导性。我们的分析表明，源于长程与短程库仑相互作用的超导态之间存在强烈竞争，从而强调了微观推导的相互作用分布对于可靠预测石墨烯基异质结构中超导起源的重要性。
引用
@article{arxiv.2305.14438,
title = {Spin and Charge Fluctuation Induced Pairing in ABCB Tetralayer Graphene},
author = {Ammon Fischer and Lennart Klebl and Jonas B. Profe and Alexander Rothstein and Lutz Waldecker and Bernd Beschoten and Tim O. Wehling and Dante M. Kennes},
journal= {arXiv preprint arXiv:2305.14438},
year = {2024}
}
备注
5 pages, 4 figures, supplementary information