外延石墨烯的自旋与角分辨光电子能谱实验

Isabella Gierz; Jan Hugo Dil; Fabian Meier; Bartosz Slomski; Juerg Osterwalder; Juergen Henk; Roland Winkler; Christian R. Ast; Klaus Kern

外延石墨烯的自旋与角分辨光电子能谱实验

材料科学 2011-02-23 v2

作者: Isabella Gierz , Jan Hugo Dil , Fabian Meier , Bartosz Slomski , Juerg Osterwalder , Juergen Henk , Roland Winkler , Christian R. Ast , Klaus Kern

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摘要

我们最近报道的关于 SiC(0001) 上外延单层石墨烯的自旋与角分辨光电子能谱 (SARPES) 结果表明，存在大的 Rashba 型自旋劈裂 \Delta k=(0.030+-0.005)1/A [1]。尽管该值比理论预测大数个数量级，但它可以与常规自旋积分高分辨角分辨光电子能谱 (ARPES) 数据中发现的线宽相协调。在此，我们提出了对 SiC(0001) 上氢插层准自由站立单层石墨烯的新测量结果，揭示了一个自旋极化信号——当用 Rashba-Bychkov 效应 [2,3] 解释时——该信号对应于 \Delta k=(0.024+-0.005)1/A 的自旋劈裂。该劈裂显著大于自旋积分高分辨 ARPES 测量的半高全宽，这强烈表明测量到的极化信号并非如我们先前报告 [1] 中所认为的那样，源自石墨烯 \pi 能带的 Rashba 型自旋劈裂。

关键词

外延石墨烯自旋与角分辨光电子能谱 Rashba 型自旋劈裂氢插层准自由站立石墨烯 ARPES

引用

@article{arxiv.1004.1573,
  title  = {Spin and angular resolved photoemission experiments on epitaxial graphene},
  author = {Isabella Gierz and Jan Hugo Dil and Fabian Meier and Bartosz Slomski and Juerg Osterwalder and Juergen Henk and Roland Winkler and Christian R. Ast and Klaus Kern},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1004.1573},
  year   = {2011}
}

备注

5 pages, 2 figures

外延石墨烯的自旋与角分辨光电子能谱实验

摘要

关键词

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