简单金属与石墨烯 X 射线谱中的多电子效应
材料科学
2017-09-13 v1
摘要
本文通过第一性原理计算和半经验模型，研究了多电子效应对简单金属 Mg 和 Al 特征 X 射线发射带形状的影响。这些方法也被用于分析石墨烯的 C K 发射谱和吸收谱。研究同时考虑了芯空穴的动态屏蔽以及价带 (VB) 中的俄歇效应。价电子对芯空穴的动态屏蔽（即所谓的 MND 效应）是在密度泛函理论框架下进行第一性原理处理的。价带中的俄歇效应则通过半经验方法予以考虑，该方法近似描述了价带空穴能级宽度与能级能量和费米能量之差之间的二次依赖关系。所有理论谱与现有的实验数据均符合得很好。
引用
@article{arxiv.1303.3458,
title = {Specific many-electron effects in X-ray spectra of simple metals and graphene},
author = {R. E. Ovcharenko and I. I. Tupitsyn and E. P. Savinov and E. N. Voloshina and B. Paulus and Yu. S. Dedkov and A. S. Shulakov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.3458},
year = {2017}
}
备注
accepted in Phys. Chem. Chem. Phys