CePt3Si 中磁性与超导转变的比热研究

对切割成小块（通常约 10 mg）的多晶 CePt3Si 样品进行了 80 mK 至 4 K 范围内的比热测量以及 80 mK 至 10 K 范围内的电阻率测量。在比热测量中，我们在所有样品中均观察到 TN = 2.2 K 处的反铁磁转变跃变，但跃变高度存在较大差异。关于超导电性，我们在所有样品中均观察到两个截然不同的转变跃变，分别位于 Tcl $\sim$ 0.45 K 和 Tch $\sim$ 0.75 K。通过比热和电阻率测量，发现了反铁磁转变与超导转变之间的系统关系。我们得出结论：转变温度为 2.2 K 的反铁磁性与转变温度为 Tcl 的超导电性共存。在该样品中，超导态的剩余电子比热系数 $\gamma_{\rm s}$ 非常小，且低于 Tcl 时比热除以温度随温度降低几乎呈线性下降。为了揭示 CePt3Si 体系磁性和超导性的特征性质，研究分别具有 Tcl 和 Tch 的两个超导相至关重要。