非中心对称超导体LaRhSi3的比热和μSR研究

我们通过磁化率、比热、电阻率和μ子自旋弛豫(μSR)测量，研究了非中心对称超导体LaRhSi$_{3}$的超导性质。中子衍射研究证实，LaRhSi$_{3}$结晶为BaNiSn$_{3}$型四方结构（空间群\textit{I4 mm}）。磁化率、电阻率和比热数据显示，在$T_{c}$ = 2.16 $\pm$ 0.08 K处出现尖锐且明确的超导转变。低温比热数据表明，LaRhSi$_{3}$是弱耦合体BCS超导体，具有各向同性能隙$\sim$ 0.3 meV的s波单重基态，$2 \Delta_{0} /k_{B}T_{c}$ = 3.24。在施加磁场下测量的比热数据强烈表明其为I型行为。该化合物的I型超导性也可从金兹堡-朗道参数$\kappa$ = 0.25推断得出。包括电子-声子耦合强度、穿透深度和相干长度在内的各种超导参数，将LaRhSi$_{3}$表征为中等脏极限超导体。我们详细研究了磁场-温度($H-T$)相图，并根据自由能估算出热力学临界场$H_{c0}$ = 17.1 $\pm$ 0.1 mT，这与横向场μSR测量估算的$H_{c0}$ = 17.2 $\pm$ 0.1 mT非常吻合。横向场μSR结果与该化合物中常规I型超导性一致。此外，零场μSR结果表明，进入超导态时时间反演对称性得以保持，这也支持LaRhSi$_{3}$中的单重配对超导基态。