器件设计中尺寸对各种半导体结构影响的研究

Jatindranath Gain

器件设计中尺寸对各种半导体结构影响的研究

材料科学 2024-05-08 v1 介观与纳米尺度物理应用物理量子物理

作者: Jatindranath Gain

摘要

通过多个量子势垒的量子力学隧穿是一个长期且众所周知的问题。先前提出的三种计算隧穿概率和能级分裂的方法为：(1) 瞬子法 (2) WKB 近似 (3) 数值计算。瞬子法有助于理解量子隧穿的物理本质，但其有效性仅限于两个势能极小值之间距离较大的情况。WKB 近似以其简单的数学形式被广泛使用，但由于其连接公式中的固有缺陷，结果并不准确。最近，WKB 近似通过改变经典转折点处的相位损失得到了发展，但据作者所知，上述近似均未提供完美的结果。使用数值方法，可以获得达到所需精度的解，但在此过程中会丧失大量的物理洞察。在本文中，作者提出了使用解析转移矩阵方法 (TMM) 发展多个量子阱或势垒势模型的方法，该方法已成功应用于任意势阱和势垒。作者将上述理论应用于三个电子器件模型并获得了令人满意的结果。

关键词

量子隧穿多量子势垒 WKB近似转移矩阵方法半导体结构

引用

@article{arxiv.1009.4467,
  title  = {Some Studies on the Effect of Size on Various Semiconductor Structure used in Device Design},
  author = {Jatindranath Gain},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1009.4467},
  year   = {2024}
}

备注

17 pages, 5 figures

器件设计中尺寸对各种半导体结构影响的研究

摘要

关键词

引用

备注

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