用于记忆电容器应用的石墨烯薄膜的跳变转变：基于 MD、DFT 和弹性理论的综合研究
介观与纳米尺度物理
2018-04-26 v2 软凝聚态物质
摘要
采用计算与理论方法，我们研究了屈曲石墨烯薄膜的跳变转变。我们的主要兴趣在于将这种屈曲薄膜用作具有记忆功能的电容器（记忆电容器，memcapacitor）极板的可能性。为此，我们针对几种尺寸的薄膜，对其自上而下和自下而上的跳变转变进行了分子动力学（MD）模拟和弹性理论计算。我们获得了自上而下和自下而上两种转变的阈值切换力的表达式。此外，利用密度泛函理论（DFT）计算了自上而下的阈值切换力。我们的 DFT 结果与 MD 及解析理论的结果总体一致。这一系统方法可用于描述经历跳变转变的其他结构，包括纳米机械和生物结构。
引用
@article{arxiv.1707.07639,
title = {Snap-through transition of graphene membranes for memcapacitor applications: A combined study using MD, DFT and elasticity theory},
author = {R. D. Yamaletdinov and O. V. Ivakhnenko and O. V. Sedelnikova and S. N. Shevchenko and Y. V. Pershin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1707.07639},
year = {2018}
}